SYSKEY緊湊式濺射系統 Compact Sputter
SYSKEY緊湊式熱蒸發鍍膜系統 Compact Thermal
SYSKEY 高真空濺射系統 HV Sputter
SYSKEY超高真空磁控濺射鍍膜機UHV Sputter
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal
高真空熱蒸發系統可提供的真空環境
或 Torr 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求，包括OLED、OPV、OPD等。配置和優勢：? 靈活的基板尺寸可達 370 x 470 毫米
配置和優勢：
? 基板支架水冷或油冷
? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%
? 船和電池源（數量最多 12 個）? 可以共蒸發和摻雜
? 用選定的目標材料沉積多層薄膜
- 可與手套箱集成
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已咨詢13次鍍膜沉積系統
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已咨詢10次鍍膜沉積系統
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已咨詢12次Syskey 臺灣
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已咨詢14次Syskey 臺灣
報價：￥100000
已咨詢65次定制手套箱
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已咨詢3次Syskey 臺灣
報價：￥138000
已咨詢707次鍍膜機
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已咨詢15次鍍膜沉積系統
ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸，基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個），支持射頻、直流或脈沖直流電源，最多可支持3條氣體管路，支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸， 基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發源（最多3個），速率控制沉積，可沉積多層薄膜，選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源（數量最多 8 個），可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源（數量最多 6 個）? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
Syskey 高真空電子束鍍膜系統 HV E-beam， 靈活的基板尺寸可達 12 英寸，? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%
臺灣矽碁
營業執照已審核
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