ASAS II自動化標準添加系統
ASAS II 使操作人員無需費力準備標準溶液,提高了您的電感耦合等離子體(ICP)分析的生產力和精度。
◆校準標準溶液自動制備。
◆ 非接觸式光流傳感器可自動測量進樣速率。
◆高精度注射泵(玻璃材質:1000 微升)以及標準進樣管路中無閥門的專 利結構,能夠自動將標準溶液以微升/分鐘的級別添加到樣品管路中。
典型的輸出流量約為 1 - 10 微升/分鐘。
◆可以使用樣品自吸。
◆所有濕潤表面均采用無金屬含氟聚合物。
◆當注射器中的溶液達到空位時,自動補充標準溶液。
不同的化學樣品被設置在自動進樣器上,并通過標準加入法進行分析。
示例:10% NMP(氮甲基吡咯烷酮)、10% HCl(鹽酸)、5% H2SO4(溶劑)、1% H3PO4 霧化器:聚氟乙烯同心式,自吸速率為 200 微升/分鐘 標準:0.2 毫克/升(在 1% HNO3) 濃度中) 濃度:1、2、5 和 10 微克/升
◆標準的 ASAS 軟件控制不僅包括 ASAS II 和自動進樣器,還會向 ICP 發送觸發信號。ICP 軟件中設置的程序可以自動執行。
◆智能軟件具有以下功能。ASAS II 從 ICP 獲取結果數據并進行所有數據分析。
- 制作校準曲線,并檢查各元素的相關系數和靈敏度。可自動進行重新校準。
檢查每次分析的標準偏差(SD)和相對標準偏差(RSD),當它們超過限度時,執行重新分析的功能。
- 按照指定頻率對質量控制(QC)溶液進行分析,當超出限度時,具備重新分析或重新校準的功能。
當結果超過限值時發出警報。
- 根據 SEMI C10 - 1109 協議進行準確度和精密度檢查。
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ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸,基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%, 最多可配備5個6英寸磁控濺射源(可選配3或4個),支持射頻、直流或脈沖直流電源,最多可支持3條氣體管路,支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸, 基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%,可選配電子束或熱舟蒸發源(最多3個),速率控制沉積,可沉積多層薄膜,選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達12英寸或200×200毫米, 基板架加熱溫度最高可達800℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源(數量最多 8 個),可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積,包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求,包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源(數量最多 6 個)? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
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