- 2025-07-28 14:38:09真空采血管
- 真空采血管是一種用于血液采集的醫療器械，由真空管、針頭和膠塞等組成。其工作原理是利用管內真空負壓，在穿刺皮膚后自動收集血液樣本，無需額外抽拉針栓。真空采血管有多種規格和類型，可根據不同檢測需求選擇不同的抗凝劑或添加劑。具有操作簡便、安全衛生、減少污染和交叉感染風險等優點，廣泛應用于醫院、診所等醫療機構。
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真空采血管問答
- 2025-01-10 12:00:13動態應變儀能采低頻信號嗎
- 動態應變儀能采低頻信號嗎？ 在現代工程測量和實驗研究中，動態應變儀廣泛應用于結構健康監測、材料試驗以及各類振動測試中。作為一種精密的測試工具，動態應變儀主要用于測量物體在外力作用下的應變情況，而其對低頻信號的采集能力一直是工程技術人員關注的重要問題。動態應變儀能否有效采集低頻信號呢？本文將從動態應變儀的工作原理、頻率響應范圍以及適用領域等方面深入探討這一問題，幫助大家更好地理解動態應變儀的性能特點。 動態應變儀的工作原理 動態應變儀通常采用應變片原理，基于應變片的電阻變化來監測物體變形。當物體受到外力作用時，應變片發生微小的形變，進而改變其電阻，動態應變儀通過對電阻變化的實時采集來反映應變信息。由于其高精度和實時性，動態應變儀被廣泛應用于對動態負載下的應變變化進行監測。 動態應變儀的頻率響應 動態應變儀的頻率響應范圍是決定其能否有效采集低頻信號的關鍵因素。頻率響應指的是動態應變儀能夠準確捕捉和傳輸的信號頻率范圍。大部分動態應變儀主要設計用于監測中高頻信號，因此其頻率響應范圍通常集中在10 Hz到幾千Hz之間。在這一范圍內，動態應變儀能夠有效地測量由于外部負載或振動引起的應變變化。 對于低頻信號（通常指低于10 Hz的頻率范圍），大多數常規動態應變儀的響應可能會減弱，這使得其在低頻范圍內的測量精度受到一定影響。隨著科技的進步，一些高端或特殊設計的動態應變儀能夠擴大其頻率響應范圍，具備采集低頻信號的能力。這類設備通常采用更高靈敏度的傳感器和更強大的信號處理技術，從而實現低頻信號的精確采集。 動態應變儀能否采集低頻信號？ 雖然傳統的動態應變儀主要應用于中高頻信號測量，但隨著技術的發展，部分現代動態應變儀已經具備了較強的低頻響應能力。特別是在一些精密工程應用中，如土木結構健康監測、大型機械設備的振動分析等領域，低頻信號的監測需求愈加重要。在這些場合下，選用具有廣泛頻率響應范圍的動態應變儀，可以確保對低頻應變信號的精確采集。 對于低頻信號的采集，儀器的設計和外部環境也起著至關重要的作用。例如，信號的采樣率、儀器的抗噪性能以及信號處理的精度都會直接影響到低頻信號的準確度。因此，盡管某些動態應變儀能夠支持低頻信號的采集，但在實際使用中，工程師仍需要根據具體的測量需求、儀器性能及測試環境來綜合考慮是否選擇該儀器。 結論 總體來看，動態應變儀是否能夠采集低頻信號，取決于儀器的設計、頻率響應范圍以及應用場景。雖然傳統動態應變儀主要用于中高頻信號的測量，但隨著技術的發展，越來越多的動態應變儀能夠有效擴展其頻率響應范圍，滿足低頻信號的采集需求。在實際應用中，選擇合適的動態應變儀需要根據測試目的、信號特性以及環境條件綜合考慮，從而保證數據的準確性和可靠性。
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- 2023-03-03 16:36:05熒光成像在血管神經外科手術中的優勢
- 熒光素和ICG熒光血管造影改變了血管神經外科醫生的手術方式，它提供具有豐富信息的術中視圖。2021神經可視化峰會是一個匯集quan球神經外科醫生的特別活動，在此期間，A教授在一次家du網絡研討會上分享了他在熒光引導下的神經外科手術經驗，介紹了幾個臨床案例。學習要點了解熒光素鈉和ICG的歷史以及它們在血管神經外科的首次應用探討熒光技術在神經外科的優勢，及其如何為神經外科醫生提供有價值的信息觀看熒光引導下的神經外科手術視頻，包括動靜脈畸形（AVM）、搭橋和動脈瘤手術的臨床案例熒光成像在神經外科的應用：熒光素鈉和ICG的歷史及其首次應用熒光素鈉自20世紀60年代末以來一直用于神經外科，最初由醫生對其進行了描述，醫生在開顱時進行了硬膜外血管造影術。吲哚菁綠（ICG）在很久以后才被應用于評估腦血流。它是由醫生在21世紀初引入的，并決定將這種廣泛應用于眼科的技術轉移到神經外科。ICGzui早用于神經外科評估動脈瘤，并逐步應用于幾種神經外科病癥：評估旁路通透性、AVM手術、評估海綿狀血管瘤手術和神經腫瘤學中靜脈引流異常。目前，腦熒光血管造影使用ICG的情況更為普遍。熒光造影引導下的神經外科：熒光素鈉與ICG的優缺點熒光素鈉視頻血管造影有一些優勢，包括成本較低，精細細節的可視化，以及可以直接在顯微鏡下通過熒光過濾器進行觀察。ICG需要單獨的紅外攝像機，可以將信息顯示在不同的屏幕上。熒光素熒光也為無牽開器手術提供了有用的價值，這與手術創傷的降低密切相關。熒光素鈉的另一個優點是作為一種相對惰性的染料，急性毒性研究顯示盡管會誘發一些嚴重的過敏反應，但它對人類沒有特殊危害。此外，成本也非常低。熒光素鈉的缺點：它在血液中至少停留一小時，需要長時間等待后才能重復使用。ICG的半衰期為3至4分鐘，因此可以在短時間內進行第二次或第三次注射。但在某些病人群體中，如對碘過敏的病人或甲狀腺功能亢進的病人，它是禁用的。而且它價格昂貴。熒光造影在動靜脈畸形（AVM）手術中的應用在一名患有左額葉動靜脈畸形的患者中，選擇了對側入路，以避免優勢半球，并更好地控制進料器。使用FL560術中熒光素熒光模塊，可通過顯微鏡在手術野內精確地顯示時間、給藥器、靜脈和AVM周圍的短血管，并具有清晰的對比度。但在使用ICG時，用戶必須查看另一個屏幕，而且無法看到AVM的周圍環境。必須通過從顯示器轉移到手術野來進行解釋。熒光素熒光更容易在手術野中直接識別供血血管，并將實質圖像更好地可視化。圖1：用FL560熒光素熒光模塊觀察AVM與用ICG觀察AVM。圖片由A教授提供。熒光造影在搭橋手術中的應用在一例煙霧病患者中，施行了顳淺動脈-大腦中動脈搭橋術(STA-MCA)。熒光素鈉熒光對探索和檢查STA以及在手術野直接看到動脈的功能非常有用。這是了解搭橋手術工作方式的一種非常有效的技術。它提供了良好的血管和組織灌注的可視化，盡管厚壁血管不太明顯。圖2：在搭橋手術中使用FL560熒光素熒光模塊。圖片由A教授提供。熒光造影在動脈瘤手術中的應用在一名患有中動脈小動脈瘤的患者中，使用熒光素熒光支持夾閉。造影劑有助于暴露動脈瘤，并在手術野中直接觀察到穿支及其灌注情況。使用ICG可能會忽略這一點，因為它需要查看另一個屏幕，且呈現的是黑白圖像。在熒光素熒光下，閉塞的動脈瘤清晰可見。但由于動脈瘤手術往往很快，而且厚壁血管也不太明顯，所以無法進行重復使用。熒光素鈉可與ICG結合使用，兩者并不相互排斥。圖注：利用FL560熒光素熒光模塊進行動脈瘤夾閉。圖片由A教授提供。綜上所述，熒光素視頻血管造影具有手術野三維可視化的優勢，可以實時進行手術操作，尤其是對狹窄視野內的小血管。此外，它的成本更低。熒光素血管造影的缺點是無法觀察到厚壁血管中的血流，而且染料在血液中停留的時間較長。ICG血管造影技術和熒光素血管造影技術為神經外科醫生提供了重要優勢。
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- 2022-06-23 14:13:21ibidi科普知識系列|血管生成實驗小常識
- 1、哪種細胞密度最適合我的實驗？ 通常，我們建議每孔使用5,000-10,000個HUVEC。 但是，確定最佳細胞數對于使用μ-Slide血管生成從管形成測定中獲得最佳結果是至關重要。 細胞密度取決于細胞類型和細胞大小。 因此，在開始實際實驗之前，我們建議在非抑制條件下播種幾個細胞數并對管形成進行成像。 然后，對于最佳測定條件，使用在您的實驗中產生最多管數的細胞密度。請記住，細胞通常不會在凝膠基質上增殖。請參閱：血管生成實驗實驗裝置優化和數據分析 |ibidi μ-Slide 2、應該在哪個時間段內觀察細胞？ 管形成的持續時間取決于細胞類型和所使用的細胞外基質，應單獨確定。 通常，HUVEC在 2-4小時后已經形成管。24小時后細胞開始發生凋亡，這導致從基質中脫離和管破裂。請參閱：血管生成實驗實驗裝置優化和數據分析 |ibidi μ-Slide 3、是否需要活細胞成像裝置來每小時拍攝管形成測定的照片？ 非必須，通過顯微鏡對 μ-Slide 血管生成上的同一位置進行一致和精確的成像。 可以使用顯示 x/y 坐標的顯微鏡載物臺或自動載物臺來完成成像。 使用自動化平臺，可以將孔的所有位置（特別是每個孔的中心）保存到位置列表中，您可以在每個時間點訪問相應的位置。 但是，使用完整的活細胞成像設置在顯微鏡上建立生理條件要方便得多。使用ibidi Stage Top 孵育系統等活細胞孵育裝置有助于在成像過程中提供穩定溫度和濕度條件，從而在體外可以直接進行視頻拍攝。 4、是否可以使用 μ-Slide 血管生成在凝膠基質內培養細胞？ 可以，μ-Slide 血管生成非常適合在精確定義的3D基質中培養細胞。由于大界面的凝膠和頂部細胞培養基，凝膠中的條件可以通過更換上部儲液器中的介質來調整。 5、應該在管形成實驗中使用含酚紅的凝膠還是不含酚紅的凝膠？ 對于使用μ-Slide血管生成的管形成測定中的相差顯微鏡，酚紅不會干擾圖片，并且由于其顏色，處理更容易。然而，當使用熒光顯微鏡時，酚紅可能會干擾探頭的波長。在這種情況下，應該使用無酚紅凝膠。 6、是否需要將μ-Slide Angiogenesis血管生成載玻片放入培養箱的濕室中進行凝膠聚合？ 我們建議將μ-Slide血管生成載玻片放入加濕腔中進行凝膠聚合。 雖然反應室對于聚合本身不是必需的，但它可以最大限度地減少蒸發的影響。 在高流量孵化器中，防止蒸發的足夠百分比的濕度可能不會始終保持一致。 μ-Slide血管生成中的少量凝膠會很快變干，這會導致彎液面的形成。 7、胎牛血清 (FBS) / 胎牛血清 (FCS) 濃度是否會影響管形成實驗中的管形成和降解速率？ 一般是的。 這取決于所使用的細胞類型或細胞系。 當提供濃度高達 10% FCS 的細胞培養基時，我們在 μ-Slide 血管生成中觀察到典型的原代細胞 (HUVEC) 管形成和 Matrigel? 上的幾種內皮細胞系。 但是，我們建議分別優化每個細胞系的 FBS/FCS 濃度。 8、您是否推薦使用減少生長因子的 Matrigel? 進行管形成分析？ 對于使用μ-Slide血管生成的管形成測定，我們使用了減少生長因子的 Matrigel? 和未減少的 Matrigel?。請參閱：腫瘤學必備 | 血管生成實驗介紹 9、我們希望使用減少了生長因子的 Matrigel? 和無血清培養基以及 50 ng/ml VEGF。 這足以刺激管的形成嗎？ 可以，這種組合足以刺激ibidi血管生成實驗室器皿中的管形成，而培養基中沒有任何額外的生長因子。 10、除了 Matrigel? 之外，您在試管形成實驗中是否有使用其他凝膠的經驗？ 原則上，任何凝膠都可用于μ-Slide血管生成管形成實驗。 細胞可以附著在表面上是很重要的。 膠原蛋白、纖連蛋白和層粘連蛋白為細胞粘附提供了重要的結合基序。 11、什么是管形成實驗合適的陽性和陰性對照？ 建議使用陽性和陰性對照來減少管形成實驗中的變量。陽性對照是預期細胞在其中形成血管的樣本（取決于實驗設置），從而向研究人員表明該實驗已正確進行。陰性對照是與所有其他樣品以相同方式處理的樣品，但預計不會顯示任何實驗結果（例如，很少或沒有管形成）。 ibidi血管生成實驗室器皿中管形成實驗的最佳陽性和陰性對照很大程度上取決于所使用的細胞、凝膠基質和一般實驗設置。因此，我們建議您查閱文獻，了解您感興趣的主題中成功使用的對照（陽性和陰性對照）。 在下文中，您可以找到管形成測定中陽性和陰性對照的可能方法： 如果需要分析特定化合物誘導血管生成的效力，則可以使用用已知血管生成誘導劑（例如 VEGF 或 FGF2）處理的樣品作為陽性對照。濃度很大程度上取決于細胞類型和實驗設置。 如果使用原代細胞，預篩選的內皮細胞系（例如，HUVEC）在用特定生長因子處理后表現出明確的反應，可以作為陽性對照。 對于某些細胞類型，形成管的能力還取決于所使用的凝膠基質。作為陽性對照，內皮細胞應在含有饑餓培養基（不含生長因子或血清的培養基）的生長因子減少的 Matrigel?上顯示管形成。如果需要測試促血管生成物質，則使用饑餓培養基尤其重要，因為大多數細胞培養基都添加了生長因子。為了分析物質的真實效果，基質和培養基都必須不含任何生長因子。作為陰性對照，細胞可以播種在不同的基質（例如膠原蛋白 I）上，預計不會形成管狀。 不影響細胞活力的管形成抑制劑（例如，蘇拉明或蘿卜硫素）可用作陰性對照。如果實驗的目的是測試抗血管生成物質，則使用這種類型的抑制劑尤其重要。 如果用任何溶解的物質（例如，在 DMSO 或乙醇中）處理細胞，則僅使用溶劑作為陰性對照。 12、是否有用于分析管形成實驗的推薦染色方案？ 一般來說，相差顯微鏡足以自動分析 μ-Slide血管生成中的標準管形成實驗。 但是，如果您想研究某種標記，您可以應用您的標準方案（例如，用于免疫熒光染色），但要小心，以免損壞凝膠基質或細胞網絡。 使用calcein的染色方案示例可參閱：腫瘤學必備 | 血管生成實驗介紹 13、在開始實驗之前，我是否必須將 ibidi 血管生成實驗室器皿平衡到 37°C？ 不，不需要平衡 μ-Slide 血管生成。 在室溫下儲存，可以立即用凝膠基質填充。 由于μ-Slide 的開孔形式，加熱時從凝膠中逸出的氣體可以與大氣自由交換。 14、完成實驗后，μ-Slide Angiogenesis和μ-Plate Angiogenesis 96 Well可以重復使用嗎？ 不可以，μ-Slide血管生成載玻片和μ-Plate血管生成96孔板是一次性耗材，僅供一次性使用。 15、μ-Slide 血管生成是否有96孔版的？ 有。 μ-Plate血管生成96孔板具有與μ-Slide血管生成相同的“孔中孔”設計和凝膠體積 (10 μl)。 μ-Plate血管生成96孔可用作高通量管形成實驗的篩選板，具有完全的ANSI/SLAS (SBS) 和robotics兼容性。
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- 2023-07-29 11:31:59真空BNC連接器產品優勢
- 同軸真空BNC接頭是一種常見的射頻連接器，廣泛應用于射頻和微波通信、數據處理及測量設備。BNC（Bayonet Neill-Concelman）接頭是由美國的Paul Neill和Carl Concelman于1945年發明的。以下是同軸真空BNC接頭的一些特點和優勢：1. 易于連接和斷開：BNC接頭采用了快速卡口式結構，使得連接和斷開變得非常方便。用戶只需將插頭插入座子，然后旋轉90度即可完成連接。2. 較低的插損：同軸真空BNC接頭的設計使得在連接過程中的信號損失較低，提高了設備的性能。3. 良好的屏蔽性能：BNC接頭具有良好的屏蔽性能，能有效阻止外部電磁干擾，確保信號的穩定傳輸。4. 兼容性強：BNC接頭廣泛應用于各種設備之間的連接，具有很強的通用性和兼容性。5. 經濟實用：同軸真空BNC接頭的生產成本相對較低，使得它在許多應用場景中成為主要的連接器。6. 頻率范圍：BNC接頭的工作頻率范圍可達到4 GHz，適用于多種射頻和微波通信場景。7. 真空兼容性：同軸真空BNC接頭經過特殊處理，可在真空環境中使用，適用于高真空和超高真空系統。需要注意的是，隨著通信技術的發展，BNC接頭的頻率范圍可能不足以滿足一些高性能應用的需求。在這種情況下，可以考慮使用其他更高頻率的同軸連接器，如SMA、N型等。
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- 2023-02-15 14:54:00真空蒸發鍍膜技術原理
- 真空蒸發鍍膜技術原理 一、蒸發鍍膜簡述：真空蒸發鍍膜（簡稱真空蒸鍍）是指在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結形成固態薄膜的方法。由于真空蒸發法或真空蒸鍍法主要物理過程是通過加熱蒸發材料而產生，所以又稱熱蒸發法或者熱蒸鍍，所配套的設備稱之為熱蒸發真空鍍膜機。這種方法zui早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。 盡管后來發展起來的濺射鍍和離子鍍在許多方面要比蒸鍍優越，但真空蒸發技術仍有許多優點，如設備與工藝相對比較簡單，即可鍍制非常純凈的膜層，又可制備具有特定結構和性質的膜層等，仍然是當今非常重要的鍍膜技術。近年來，由于電子轟擊蒸發，高頻感應蒸發及激光蒸發等技術在蒸發鍍膜技術中的廣泛應用，使這一技術更趨完善。 近年來，該法的改進主要是在蒸發源上。為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發加熱器發生化學反應，改用耐熱陶瓷坩堝，如 BN坩堝。為了蒸發低蒸氣壓物質，采用電子束加熱源或激光加熱源。為了制造成分復雜或多層復合薄膜，發展了多源共蒸發或順序蒸發法。為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，出現了反應蒸發法等。 二、熱蒸鍍工作原理： 真空蒸發鍍膜包括以下三個基本過程∶（1）加熱蒸發過程。包括由凝聚相轉變為氣相（固相或液相→氣相）的相變過程。每種蒸發物質在不同溫度時有不相同的飽和蒸氣壓;蒸發化合物時，其組分之間發生反應，其中有些組分以氣態或蒸氣進入蒸發空間。（2）氣化原子或分子在蒸發源與基片之間的輸運過程，即這些粒子在環境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內殘余氣體分子發生碰撞的次數，取決于蒸發原子的平均自由程，以及從蒸發源到基片之間的距離，常稱源-基距。（3）蒸發原子或分子在基片表面上的沉積過程，即是蒸氣凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜。由于基板溫度遠低于蒸發源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發生從氣相到固相的相轉變過程。將膜材置于真空鍍膜室內，通過蒸發源加熱使其蒸發，當蒸發分子的平均自由程大于真空鍍膜室的線性尺寸時，蒸汽的原子和分子從蒸發源表面逸出后，在飛向基片表面過程中很少受到其他粒子（主要是殘余氣體分子）的碰撞阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度較低，便凝結其上而成膜，為了提高蒸發分子與基片的附著力，對基片進行適當的加熱是必要的。為使蒸發鍍膜順利進行，應具備蒸發過程中的真空條件和制膜過程中的蒸發條件。 蒸發過程中的真空條件：真空鍍膜室內蒸汽分子的平均自由程大于蒸發源與基片的距離（稱做蒸距）時，就會獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞概率，把真空鍍膜室抽成高真空是非常必要的。否則，蒸發物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴重污染，甚至形成氧化物；或者蒸發源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續的薄膜。 三、真空蒸鍍特點: 優點：設備比較簡單 、操作容易；制成的薄膜純度高、質量好，厚度可較準確控制；成膜速率快，效率高；薄膜的生長機理比較簡單；缺點：不容易獲得結晶結構的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附著力較小；工藝重復性不夠好等。 四、蒸發源的類型及選擇： 蒸發源是用來加熱膜材使之氣化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱蒸發裝置結構較簡單，成本低，操作簡便，應用普遍。電阻加熱式蒸發源的發熱材料一般選用W、Mo、Ta、Nb等高熔點金屬，Ni、Ni-Cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發的膜材。一般采用大電流通過蒸發源使之發熱，對膜材直接加熱蒸發，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成的坩堝中進行間接加熱蒸發。采用電阻加熱法時應考慮的問題是蒸發源的材料及其形狀，主要是蒸發源材料的熔點和蒸氣壓，蒸發源材料與薄膜材料的反應以及與薄膜材料之間的濕潤性。因為薄膜材料的蒸發溫度（平衡蒸氣壓為1. 33 Pa時的溫度）多數在1 000 ~2 000 K之間，所以蒸發源材料的熔點需高于這一溫度。而且．在選擇蒸發源材料時必須考慮蒸發源材料大約有多少隨蒸發而成為雜質進入薄膜的問題。因此，必須了解有關蒸發源常用材料的蒸氣壓。為了使蒸發源材料蒸發的分子數非常少，蒸發溫度應低于蒸發源材料平衡蒸發壓為1. 33×10-6Pa時的溫度。在雜質較多時，薄膜的性能不受什么影響的情況下，也可采用與1. 33×10-2Pa對應的溫度。綜上所述，蒸發源材料的要求：1、高熔點：必須高于待蒸發膜材的熔點（常用膜材熔點1000～2000℃）2、飽和蒸氣壓低：保證足夠低的自蒸發量，不至于影響系統真空度和污染膜層3、化學性能穩定：在高溫下不應與膜材發生反應，生成化合物或合金化4、良好的耐熱性5、原料豐富、經濟耐用 蒸發材料對蒸發源材料的“濕潤性”：選擇蒸發源材料時，必須考慮蒸鍍材料與蒸發材料的“濕潤性”問題。蒸鍍材料與蒸發源材料的濕潤性”與蒸發材料的表面能大小有關。高溫熔化的蒸鍍材料在蒸發源上有擴展傾向時，可以認為是容易濕潤的;如果在蒸發源上有凝聚而接近于形成球形的傾向時，就可以認為是難干濕潤的在濕潤的情況下，材料的蒸發是從大的表面上發生的且比較穩定，可以認為是面蒸發源的蒸發;在濕潤小的時候，一般可認為是點蒸發源的蒸發。如果容易發生濕潤，蒸發材料與蒸發源十分親和，蒸發狀態穩定;如果是難以濕潤的，在采用絲狀蒸發源時，蒸發材料就容易從蒸發源上掉下來。 五、合金與化合物的蒸發： 1、合金的蒸發：采用真空蒸發法制作預定組分的合金薄膜，經常采用瞬時蒸發法、雙蒸發源法。分餾現象：當蒸發二元以上的合金及化合物時，蒸發材料在氣化過程中，由于各成分的飽和蒸氣壓不同，使得其蒸發速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，這種現象稱為分餾現象。（1）瞬時蒸發法：瞬時蒸發法又稱“閃爍”蒸發法。將細小的合金顆粒，逐次送到非常熾熱的蒸發器中，使一個一個的顆粒實現瞬間完全蒸發。關鍵以均勻的速率將蒸鍍材料供給蒸發源粉末粒度、蒸發溫度和粉末比率。如果顆粒尺寸很小，幾乎能對任何成分進行同時蒸發，故瞬時蒸發法常用于合金中元素的蒸發速率相差很大的場合。優點：能獲得成分均勻的薄膜，可以進行摻雜蒸發等。缺點：蒸發速率難以控制，且蒸發速率不能太快。 （2）雙源蒸發法：將要形成合金的每一成分，分別裝入各自的蒸發源中，然后獨立地控制各個蒸發源的蒸發速率，使達到基板的各種原子與所需合金薄膜的組成相對應。為使薄膜厚度分布均勻，基板常需要進行轉動。2、化合物的蒸發：化合物的蒸發方法：（1）電阻加熱法（2）反應蒸發法（3）雙源或多源蒸發法（4）三溫度法（5）分子束外延法反應蒸發法主要用于制備高熔點的絕緣介質薄膜，如氧化物、氮化物和硅化物等。而三溫度法和分子外延法主要用于制作單晶半導體化合物薄膜，特別是III-V族化合物半導體薄膜、超晶格薄膜以及各種單晶外延薄膜等。 將活性氣體導入真空室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發源逸出的蒸發金屬原子、低價化合物分子在基板表面淀積過程中發生反應，從而形成所需高價化合物薄膜的方法。不僅用于熱分解嚴重，而且用于因飽和蒸氣壓較低而難以采用電阻加熱蒸發的材料。經常被用來制作高熔點的化合物薄膜，特別是適合制作過渡金屬與易分解吸收的02， N2等反應氣體所組成的化合物薄膜（例如SiO2、ZrN、AlN、SiC薄膜）。在反應蒸發中，蒸發原子或低價化合物分子與活性氣體發生反應的地方有三種可能，即蒸發源表面、蒸發源到基板的空間和基板表面。
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