產品簡介
用于沉積高品質的n型摻雜或非摻雜的多晶硅或非晶硅;用于沉積高品質的低應力氮化硅或氮氧化硅。
主要技術指標
爐管1:N型多晶硅以及非晶硅薄膜沉積工藝
氣體:高純N2、SiH4、PH3
爐管2:低應力氮化硅,氮氧化硅薄膜
氣體:高純N2、NH3、N2O、SiH2Cl2
溫度:700-900 °C
硅片尺寸:3英寸、4英寸、6英寸圓片;50片/爐
報價:面議
已咨詢1011次半導體芯片類測試儀器
報價:面議
已咨詢12次Syskey 臺灣
報價:面議
已咨詢1182次德國 Iplas
報價:面議
已咨詢13次Syskey 臺灣
報價:面議
已咨詢2691次PECVD沉積系統
報價:面議
已咨詢653次真空鍍膜及刻蝕設備
報價:面議
已咨詢1329次薄膜半導體材料制備系統
報價:面議
已咨詢2038次英國 Oxford
表面電位衰減測試系統(評估介質材料表面電荷動態衰減行為及陷阱能級分布) 表面電位衰減測試系統是一款面向材料電學特性研究的高精度、多功能分析設備,專為評估介質材料表面電荷動態衰減行為及陷阱能級分布而設計
織物摩擦帶電電荷量測試儀,主要用于測試防靜電服的帶電電荷量,設備主要由法拉第筒、靜電電位計和滾筒摩擦機組成。備注:靜電電位計通常也被稱為靜電電量表主要用于顯示防靜電服及防靜電面料等紡織品的電荷量。
將防靜電服放入滾筒摩擦機后,經過滾簡摩擦機摩擦 15min 后的防靜電服投入法拉第筒內,通過靜電電位計測量防靜電服的帶電電荷量。
HCHV-2000 是一款風冷高壓脈沖發生器。該設備針對高阻抗容性負載進行了優化,非常適合用于驅動提取柵極和偏轉板,以實現飛行時間質譜儀和加速器中粒子束的靜電調制。
測量電容器在不同溫度下的關鍵參數(如電容量(C)、損耗因子(D)和阻抗(Z)等參數值),從而評估其溫度特性。該系統通常具有高精度、高穩定性和高可靠性的特點,能夠適用于各種類。
絕緣電阻劣化(離子遷移)評估系統是一種試驗設備,它通過在印刷電路板上施加固定的直流電壓,并經過長時間的測試(1~1000小時可按需定制),觀察線路是否有瞬間短路的現象發生,并記錄電阻值的變化狀況。
絕緣電阻劣化(離子遷移)評估系統,評估絕緣材料的劣化程度和離子遷移現象.
半導體封裝材料R-T測試,測試類型: R-T ,C-V, I-V,R-I,Cp-D,ε測試,搭配儀器:源表、高阻計、直流低電阻測試儀、阻抗分析儀、半導體參數分析儀。