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雙極板材料四探針低阻測(cè)試儀
- 品牌:北京北廣精儀
- 型號(hào): BEST-300C
- 產(chǎn)地:北京 海淀區(qū)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):¥150000
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
更新時(shí)間:2025-07-31 07:26:05
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銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第10年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品電阻率測(cè)試儀(170件)
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產(chǎn)品特點(diǎn)
- 雙極板材料四探針低阻測(cè)試儀用于雙極板材料本體電阻率和雙極板與炭紙之間的接觸電阻的測(cè)量和分析.通過PC軟件操作界面運(yùn)行。
詳細(xì)介紹
雙極板材料四探針低阻測(cè)試儀四探針低阻測(cè)量和接觸電阻分析,自動(dòng)生成報(bào)表,自動(dòng)獲得壓力變化下電阻,電阻率和電導(dǎo)率的變化圖譜,樣品厚度測(cè)量,自動(dòng)運(yùn)算.統(tǒng)計(jì)分析,
雙極板材料四探針低阻測(cè)試儀GB/T 20042.6-2011質(zhì)子交換膜燃料電池 第6部分:雙極板特性測(cè)試方法中四探針低阻測(cè)量和接觸電阻測(cè)試方法及要求;
參數(shù)資料
1.方塊電阻范圍:10-6~2×102Ω/□
2.電阻率范圍:10-7~2×103Ω-cm
3.測(cè)試電流范圍:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度:±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度:≤0.3%
6.PC軟件界面:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率、電阻率、壓強(qiáng)等.
7.測(cè)試方式: 四探針測(cè)量(體電阻率)和四端法(接觸電阻測(cè)量)
8.壓力范圍:0-1000kg(0-4MPa).
9. 樣品形狀為正方形(鍍金電極為5cm×5cm),面積為25cm2(其他規(guī)格定制)
10.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W
11. 加壓方式:自動(dòng)
12. 樣品高度量程和精度:高度測(cè)量范圍:0.001-10.001mm,測(cè)量分辨率0.001mm
13.溫濕度范圍:常溫-50度;濕度:20%-98%
14.恒壓時(shí)間:0-99.9S
15.標(biāo)配標(biāo)準(zhǔn)件:a.標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻1個(gè);b.標(biāo)準(zhǔn)高度校準(zhǔn)件1個(gè)
16. 工作電源:220±10% 50HZ/60HZ
導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。但凡注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定直排四探針法樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5",測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1,范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層,方塊電阻的測(cè)量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量,但其測(cè)量準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件,測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差,引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子,計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
概述:采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,實(shí)驗(yàn)室;是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具。可配置不同測(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)量程,自動(dòng)測(cè)量電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出;選配:PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器,薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單,中文或英文兩種語(yǔ)言界面選擇,電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F,見式(4)。對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表,能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,溫度針0℃-40℃,小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,甲醇、99.5%,干燥氮?dú)狻y(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,針實(shí)半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差,硅片幾何形狀,表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,R(TD-R_xF式中:計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.,見式(3).試劑優(yōu)級(jí)純,純水,25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,s=號(hào)(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃,具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上,試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng),到達(dá)熱平衡時(shí),試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流,令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見表1測(cè)量范圍電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□電 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)直 徑:A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm, 方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm, 長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm, 測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
4-1/2 位數(shù)字電壓表:
(1)量程: 20.00mV~2000mV
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
數(shù)控恒流源
(1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA,1A
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
所給出的某一合適值,測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù),所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向,測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流,搶起探針裝置,對(duì)仲裁測(cè)量,探針間距為1.59
規(guī)格及型號(hào)
規(guī)格型號(hào)
300c
電阻
10-7~2×107Ω
2.電阻率范圍
10-8~2×108Ω-cm
3.電導(dǎo)率
5×10-8~108s/cm
4.測(cè)試電流范圍
1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA
5.測(cè)量電壓量程
測(cè)量電壓量程:2mV 20mV 200mV 2V
測(cè)量精度:±(0.1%讀數(shù))
分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
6.電流精度
±0.1%讀數(shù)
7.電阻精度
≤0.3%
8.顯示讀數(shù)
液晶顯示:電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等
9.測(cè)試方式
四端測(cè)量法
10.測(cè)量裝置(治具)
選購(gòu)
1.標(biāo)準(zhǔn)方體和圓柱體測(cè)量裝置:測(cè)試行程:L70mm*W:60mm
2.定制治具
11.工作電源
AC 220V±10%.50Hz功 耗:<30WH
12. 主機(jī)外形尺寸
約330mm*350mm*120mm
13.凈重量
約6kgNet
14.標(biāo)配外選購(gòu)
1.標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)電阻1-5個(gè);2.PC軟件一套;3.電腦和打印機(jī)依據(jù)客戶要求配置;4.計(jì)量證書1份
本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法,適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示,無需人工計(jì)算,并帶有溫度補(bǔ)償功能,電阻率單位自動(dòng)選擇,儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運(yùn)輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動(dòng)生成報(bào)表;本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時(shí)顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率,壓強(qiáng) 配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)要求:
該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提高精確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
技術(shù)參數(shù)及功能介紹
規(guī)格型號(hào)
BEST-300C
1.方塊電阻范圍
10-5~2×105Ω/□
2.電阻率范圍
10-6~2×106Ω-cm
3.測(cè)試電流范圍
0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度
±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度
≤0.3%
6.顯示讀數(shù)
大屏液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
7.測(cè)試方式
雙電測(cè)量
8.工作電源
輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W
9.整機(jī)不確定性誤差
≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果)
10.選購(gòu)功能
選購(gòu)1.pc軟件; 選購(gòu)2.方形探頭; 選購(gòu)3.直線形探頭; 選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái)
1.雙電測(cè)四探針法測(cè)試薄層樣品方阻計(jì)算和測(cè)試原理如下:
直線四探針測(cè)試布局如圖8,相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理:
當(dāng)電流通過1、4探針,2、3探針測(cè)試電壓時(shí)計(jì)算如下:
四探針測(cè)試結(jié)構(gòu)
當(dāng)電流通過1、2探針,4、3探針測(cè)試電壓時(shí)計(jì)算如下:從以上計(jì)算公式可以看出:方阻RS只取決于R1和R2,與探針間距無關(guān).針距相等與否對(duì)RS的結(jié)果無任何影響,本公司所生產(chǎn)之探針頭全部采用等距,偏差微小,對(duì)測(cè)試結(jié)果更加。
1.1.開機(jī)預(yù)熱:將220V電源插頭插入電源插座,打開電源開關(guān),讓儀器預(yù)熱15分鐘,保證測(cè)試數(shù)據(jù)穩(wěn)定。若測(cè)試儀無法正常啟動(dòng),請(qǐng)按以下步驟檢查:
①檢查電源線是否接觸良好;
②檢查后面板上的電源開關(guān)是否已經(jīng)打開
③檢查保險(xiǎn)絲是否熔斷,如有必要,請(qǐng)更換保險(xiǎn)絲
④ 如經(jīng)上述檢查無誤后,測(cè)試儀仍未正常啟動(dòng),請(qǐng)聯(lián)系本公司進(jìn)行解決。
1.2.準(zhǔn)備好被測(cè)物,鏈接好測(cè)試探頭,把測(cè)試探頭接口與主機(jī)接口相連接,并鎖定,防止松動(dòng)或接觸不良而對(duì)測(cè)試結(jié)果造成影響.
1.3.接通電源,開啟電源開關(guān),待儀器液晶顯示屏上顯示出廠家和產(chǎn)品信息后,如圖3,按“顯示”鍵進(jìn)入,
1.4.進(jìn)入測(cè)試功能界面如圖4、圖5;如測(cè)試方阻時(shí),請(qǐng)選擇液晶顯示屏又側(cè)對(duì)應(yīng) 的功能按鍵“方阻”,則進(jìn)入方阻測(cè)試界面;如測(cè)試其他材料時(shí),請(qǐng)選擇“材料”則進(jìn)入材料電阻,電阻率,電導(dǎo)率測(cè)試儀界面。
1.5.設(shè)置好被測(cè)物所需之參數(shù),把被測(cè)物放于測(cè)試治具平臺(tái)上操作,測(cè)試完畢直接顯示測(cè)試數(shù)據(jù)。如配置軟件,軟件操作說明書同安裝軟件在一起,請(qǐng)注意查看操作步驟.
以下分別講解方阻和材料測(cè)試的設(shè)置
四探針雙電方阻測(cè)試步驟上述步驟中1項(xiàng),使用前期準(zhǔn)備把被測(cè)物測(cè)試所需要之參數(shù)數(shù)據(jù)設(shè)定:
依據(jù)不同之測(cè)試樣品,選擇被測(cè)試電流,電流設(shè)置:按方向鍵移動(dòng)光標(biāo)至“電流”功能,按“設(shè)置”鍵進(jìn)入;再按“左右”方向鍵選擇電流數(shù)據(jù),選擇完畢后按“確定”鍵進(jìn)行確認(rèn)。按照以上步驟和方法選擇電壓、長(zhǎng)度單位、探針形狀設(shè)定、溫度.
探針間距數(shù)據(jù)的輸入,探針間距出廠時(shí)已經(jīng)標(biāo)定,無需再次測(cè)量,探針頭上有詳細(xì)的探針數(shù)據(jù)資料,探針間距的設(shè)置:將光標(biāo)移動(dòng)至“探針間距”按“設(shè)置”鍵進(jìn)入,通過面板上面的“數(shù)字”按鍵輸入數(shù)據(jù)按“確定”鍵進(jìn)行確認(rèn);按照以上方法和步驟設(shè)定”厚度“,注意厚度和探針間距修正系數(shù)表已經(jīng)設(shè)置在儀器程序中,自動(dòng)修正,無需再次輸入和查詢表格。
2.3.測(cè)試探頭和測(cè)試平臺(tái)操作
選配測(cè)試平臺(tái)的將被測(cè)物放在測(cè)試平臺(tái)上,調(diào)節(jié)探頭探針與樣品良好接觸,探頭有二種,一種是探針是彈簧針型,一種是硬針而探頭內(nèi)腔有彈簧;探頭有方型和直線型兩種結(jié)構(gòu);調(diào)節(jié)測(cè)試平臺(tái)上的水平定位角,保證水平儀水準(zhǔn)在中心位置;放置好被測(cè)物品,后壓下探頭至被測(cè)物,帶數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀取方阻測(cè)試時(shí),在測(cè)試時(shí)電流的選擇也不同根據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T1552-1995和根據(jù)ASTM F374-84標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)量方塊電阻所需要的電流值如下表所示
方塊電阻測(cè)試時(shí)電流量程選擇表
方塊電阻(Ω/□)
電流量程
0---1.2
100mA
1---25
10 mA
20---250
1 mA
200---2500
100μA
2000---25000
10μA
20000---250000
1μA
>200000
0.1μA
方阻測(cè)試時(shí)根據(jù)用戶所選擇的電壓測(cè)量低壓6V,中壓15V,高壓32V;材料測(cè)試的時(shí)候一直是6V
材料電阻測(cè)試步驟:操作步驟及流程本機(jī)可以依據(jù)不同測(cè)試產(chǎn)品選擇配置不同的測(cè)試治具,以下舉例操作說明在開機(jī)界面按下按鍵板上的“顯示”鍵,進(jìn)入測(cè)量界面。如圖1如圖2,在液晶顯示屏右側(cè)有4個(gè)藍(lán)色功能按鍵,當(dāng)測(cè)材料電阻率時(shí),請(qǐng)選擇 “材料”按鍵 ,進(jìn)入材料測(cè)試主界面. 在該界面下通過按下按鍵板上的上下左右鍵,可以移動(dòng)藍(lán)色光標(biāo)選擇相應(yīng)的參數(shù)。如圖2,將移動(dòng)到某一參數(shù)的位置,按下“設(shè)置”鍵,光標(biāo)將變?yōu)樯钏{(lán)色。此時(shí)通過上下左右鍵和數(shù)字鍵可以對(duì)相應(yīng)的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置,設(shè)置完畢后按“確定”鍵返回。接線方式,把主機(jī)與夾具連接線,連接好并固定住,取試樣,試樣試驗(yàn)前的處理依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行,把樣品放于固定治具夾口內(nèi),把HD和LD接口分別與治具接口連接(不分順序)如圖3;另外兩個(gè)接口與探頭接線位置連接,后,放入被測(cè)樣品,輸入高度數(shù)據(jù)(為探針之間的間距),其他數(shù)據(jù)為樣品本身尺寸。試樣固定住后,加壓探頭探針至被測(cè)樣品表面,帶數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀數(shù). 按下“放大”鍵對(duì)應(yīng)的按鍵可以對(duì)當(dāng)前界面的測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行放大待參數(shù)設(shè)置完畢,開始測(cè)量,把測(cè)試獲得的數(shù)據(jù)寫入試驗(yàn)報(bào)告中以下設(shè)置和功能屬于配置操作軟件機(jī)型使用,如您購(gòu)買的無電腦操作軟件的話,請(qǐng)勿設(shè)置.接口:可選擇“USB”和“232”兩種模式。根據(jù)用戶使用的接口類型進(jìn)行選擇。測(cè)試功能:可選擇:“RρK”(顯示電阻,電阻率,電導(dǎo)率),“R”(只顯示電阻)
17.標(biāo)配外選購(gòu):
1).電腦和打印機(jī)依據(jù)客戶要求配置;
2).計(jì)量證書1份
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