光刻工藝中溫度均勻性對烘烤固化過程的影響,以及該如何校準溫場均勻性!
溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過程中至關重要,它直接影響光刻膠的固化質量和最終的圖案質量。
溫度曲線控制對圖案質量的影響
在光刻膠PI固化過程中,不同類型的光刻膠PI具有特定的固化溫度曲線,一般烤箱可預設溫度曲線,而不是不是線性加熱,精確控制升溫速率、保溫時間和降溫速率。以確保固化反應均勻進行,避免因溫度變化過快導致光刻膠內部產生應力,影響圖案質量。
同時精準的溫度控制可保證晶圓各部分受熱均勻,防止因局部過熱或過冷造成晶圓變形或內部結構損壞,從而提高晶圓的良品率。
溫度均勻性對于光刻膠PI固化和半導體晶圓烘烤至關重要,因為溫度不均勻可能導致光刻膠固化程度不一致,影響光刻圖案的精度,以及使半導體晶圓內部產生應力,降低晶圓的電學性能和機械性能。
半導體制造工藝中,在真空無氧環境下均勻烘烤,光刻膠PI的固化反應更加純凈、均勻,光刻圖案的邊緣清晰度和精度得到提升,從而有助于制造出更加精細、高性能的半導體器件。
TC-Wafer校準儀對工藝溫度的校準
通過TC-Wafer校準儀可以對烘烤固化過程中溫度均勻性精準的實時測定,來輔助對設備控溫進行調整,達到合適的溫度曲線。
TC-Wafer校準儀特點:
測溫準確:溫度分辨率0.1℃、采集周期為200ms,能準確測量晶圓溫場均勻性;
顯示直觀:支持20路實時測量(可定制),顯示實時點位圖及溫度分布圖,可在使用過程中實時觀察各點溫度變化;
使用便捷:儀器集成度高,即插即用,配備磁吸支架可貼靠于設備表面。測試記錄完整數據,并能自動生成測試報告;
功能強大:10000條歷史數據存儲量,能以圖表形式調閱歷史溫度和均勻性數據。可做同一臺設備不同時間段、以及不同設備同一配方的數據對比;
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