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2025-01-10 17:05:18微電子器件: 微電子器件是基于半導體材料制成的電子器件，主要包括二極管、晶體管、集成電路等類型。它們在電子工程中扮演著核心角色，廣泛應用于通信、計算機、消費電子及工業自動化等領域。微電子器件具有體積小、功耗低、速度快及可靠性高等技術特點，是現代電子技術發展的基礎。隨著微電子技術的不斷進步，微電子器件的性能不斷提升，推動著信息技術的快速發展。

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2022-05-28
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拓撲晶體絕緣體為微電子器件發熱問題提供新思路

拓撲絕緣體是一種內部絕緣，界面允許電荷移動的材料。

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2019-10-26
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領拓聚焦 | 第十七屆中國高端SMT學術會議暨半導體器件封裝與微電子組裝工藝技術論壇

9月13日，第十七屆中國高端SMT學術會議暨半導體器件封裝與微電子組裝工藝技術論壇在成都武侯渝江皇冠假日酒店成功舉辦。

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普賽斯國產化微電子材料器件測試系統，可進行任何晶圓、芯片、微小電子器件的電性能測試！

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2022-08-08 15:17:37明美金相顯微鏡應用于微電子芯片材料管觀察: 明美金相顯微鏡應用于微電子芯片材料管觀察中山大學珠海校區微電子學院需要一臺金相顯微鏡和拍照系統觀察微電子芯片材料管；材料分析，可以更好的了解材料的特點，材料的物理構成和化學元素。而在實踐上，使用金相顯微鏡，可以更好的幫助進行材料分析研究。明美工程師推薦了金相顯微鏡MJ31，該顯微鏡采用LED落射光源科勒照明，搭配顯微鏡相機，可獲取可靠清晰的照片用以科研分析。金相顯微鏡MJ31符合人體工學、成像清晰，主要應用于半導體、FPD、電路板、金屬材料、刀具等制造領域，適用于教學及研究方面。明美光電是國家高新技術企業，創立于2003年，專注顯微成像產品的研發、生產和銷售，致力為顯微領域的自動化、智能化、國產化貢獻力量，曾獲國家創新基金扶持。公司以品質謀發展，以服務為宗旨，連續11年獲守合同重信用企業認證，已通過ISO9001管理體系認證。在全國20多個城市均設有服務網點，為您提供廣泛的光學顯微鏡，圖像系統，軟件及熒光附件等以構筑您的應用需求解決方案。來源：https://www.mshot.com/article/1500.html

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦顯微鏡-微納器件的表征分析: 對微納器件進行表征時，常關注的便是器件的表面形貌和三維尺寸信息，比如粗糙度、深度、體積等，這些都是評價微納加工工藝的重要指標。然而，在進行表面三維的分析工作中，我們可能常遇到這樣的苦惱：　　光學明場無法直接定位到亞微米級缺陷結構!　　樣品結構太復雜，微弱信號無法捕獲，難以準確測量尺度信息!　　三維接觸式測量經常會損傷柔軟樣品，導致測試結果不準確!　　今天，友碩小編將從下面幾個角度來看看蔡司激光共聚焦顯微鏡如何幫助你更好地解決這些問題?！　∈Х治觯憾喑叨榷嗑S度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的結構或缺陷，比如亞微米尺度的劃痕，這些特征難以在光學明場下被直接觀察到。C-DIC(圓微分干涉)觀察模式可以讓樣品表面亞微米尺度的微小起伏都可以呈現出浮雕效果，幫助我們快速定位并開展下一步的分析工作。　　▲ 不同觀察方式下晶圓表面缺陷　　在定位到感興趣區域后，可以直接切換到共聚焦模式，進行表面三維形貌掃描，并進行尺寸測量及分析，無需轉移樣品即可完成樣品多尺度多維度的表征。　　▲共聚焦三維圖像及深度測量　　對于某些樣品，暗場和熒光模式也是一種很好定位方法，表面起伏的結構在暗場下尤其明顯，如藍寶石這類能發熒光的晶圓，利用熒光成像也能幫助我們快速地定位到失效結構。甚至，共聚焦還可以和電鏡或者雙束電鏡(FIB)(點擊查看)實現原位關聯，在共聚焦顯微鏡下進行定位后轉移樣品到電鏡下進行更高分辨的表征分析。　　深硅刻蝕：結構深，信號弱，蔡司激光共聚焦顯微鏡有辦法!　　深硅刻蝕的樣品通常為窄而深的溝壑結構。接觸式測量(如臺階儀)無法接觸到溝壑底部測得信息，而由于結構特殊造成了反射光信號損失，常規白光干涉或者顯微明場無法捕獲底面的微弱信號。因此，不得不對樣品進行裂片分析，這不僅破壞了樣品，而且還使分析流程復雜化?！　∥骱髮W張先鋒老師用蔡司激光共聚焦顯微鏡對深163.905 μm，寬3.734μm的刻蝕坑進行成像，高靈敏探測器、大功率激光及Z Brightness Correction技術可以幫助成功檢測到底部的微弱信號，完成大深寬比(近50：1)樣品的三維形貌表征與測量，輕松實現無損檢測分析。

2022-12-05 13:11:13TOF-SIMS在光電器件研究中的應用系列之三: 一、引言光伏發電新能源技術對于實現碳中和目標具有重要意義。近年來，基于有機-無機雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發展，目前報道的最高光電轉化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調整空間，因此表現出優異的可調控的光電性質。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長過程中會出現多相競爭問題，導致薄膜初始組分分布不均一，這嚴重降低了器件效率和壽命。圖1. 鈣鈦礦晶體結構二、TOF-SIMS應用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經常發生元素和相分離，這限制了器件的壽命。對此，北京理工大學材料學院陳棋教授等人研究了二元（陽離子）系統鈣鈦礦薄膜(FA1-xCsxPbI3，FA：甲酰胺)，揭示了鈣鈦礦薄膜材料初始均一性對薄膜及器件穩定性的影響。研究發現，薄膜在納米尺度的不均一位點會在外界刺激下快速發展，導致更為嚴重的組分分布差異化（如圖2所示），最終形成熱力學穩定的物相分離，并貫穿整個鈣鈦礦薄膜，造成材料退化和器件失活。該研究成果以題為“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”發表在Science期刊。[1]圖2. 二元 FAC 鈣鈦礦的降解機制。（A-H）鈣鈦礦薄膜的組分初始分布和在外界刺激下的演變行為。（I-N）熱力學驅動下，鈣鈦礦薄膜的物相分離現象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作為重要的表面分析方法，具有高檢測靈敏度（ppm-ppb）、高質量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(16000)和高空間分辨率(

2022-12-05 13:08:46TOF-SIMS在光電器件研究中的應用系列之二: PART 01 引言有機發光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于多層有機薄膜結構的電致發光的器件，用作平面顯示器時具有輕薄、柔性、響應快、高對比度和低能耗等優點，有望成為新一代主流顯示技術。然而，高效率和長壽命依然是阻礙OLED發展的重要因素，因為有機材料易降解和器件界面結構不穩定從而導致OLED器件失效。在此背景下，迫切需要了解器件的退化機制，從而在合理設計和改進材料組合以及器件結構的基礎上，找到提高器件壽命的有效策略。圖1. 基于OLED柔性顯示器件 PART 02 TOF-SIMS表面分析方法研究有機/無機混合OLED器件的界面效應是提高其性能和運行穩定性的關鍵步驟。在眾多分析方法中，飛行時間二次離子質譜儀（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer，TOF-SIMS）是表征有機層及其內部缺陷的有效分析工具。TOF-SIMS是由一次脈沖離子束轟擊樣品表面所產生的二次離子，經飛行時間質量分析器分析二次離子到達探測器的時間，從而得知樣品表面成份的分析技術，具有以下檢測優勢：（1）兼具高檢測靈敏度（ppmm-ppb）、高質量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(

2023-04-12 09:27:29如何用數字源表快速掃描光電器件或材料的電性能？: 說到光電器件與材料，你會想到什么？是被譽為“理想能源”的太陽能電池，還是被稱為“萬物之眼”的光電探測器？在我們的日常生活中，光電器件的應用非常廣泛。從電子產品的顯示屏，到指紋解鎖和面部識別，從汽車自動駕駛到太陽能電池板，再到大火的人工智能和AI，處處可見光電器件的身影。光電材料是整個光電產業的基礎和先導，光電材料已由材料發展到薄層、超薄層及納米微結構材料，并正向集材料、器件、電路為一體的功能系統集成芯片材料、有機/無機復合、有機/無機與生命體復合和納米結構材料方向發展。作為科學領域研究的核心之一，科學家對光電器件和材料的研究從未停止。近年來，柔性顯示屏、電子皮膚、有機電致發光器件（OLED）、有機光伏器件（OPV）、有機場效應晶體管（OFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）均取得突破性進展。在光電器件和材料的研究和應用中，電性能表征是關鍵性的環節之一。實施分立器件特性參數分析的Z佳工具就是數字源表。數字源表作為獨立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號,還可以當作表,進行電壓或者電流測量;支持Trig觸發,可實現多臺儀表聯動工作;針對光電器件單個樣品測試以及多樣品驗證測試,可直接通過單臺數字源表、多臺數字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。普賽斯“五合一”高精度數字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果