氮化硅膜主要用于納米技術研究；支撐強度高，TEM與原子力電鏡都可以使用。氮化硅膜極其穩定可以抵抗溫度變化上升至1000攝氏度；但是，疏水性，如果需要親水，建議用刻蝕法：等離子刻蝕，增加電荷。膜厚：100nm、50nm、30nm；孔：1mm×mm 膜粗糙度2nm。