FSM 128 薄膜應力及基底翹曲測試設備 

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產品名稱：FSM 128 薄膜應力及基底翹曲測試設備

產品型號：FSM 128， 500TC, 900TC

1.   簡單介紹

FSM 128 薄膜應力及基底翹曲測試設備:美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導體行業等高新行業提供各式精密的測量設備，客戶遍布全世界, 主要產品包括:光學測量設備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應力測量設備、 紅外干涉厚度測量設備、電學測量設備:高溫四探針測量設備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

1.   產品簡介：

FSM128 薄膜應力及基底翹曲測試設備

在襯底鍍上不同的薄膜后, 因為兩者材質不一樣，以及不同的材料不同溫度下特性不一樣, 所以會引起應力。 如應力太大會引起薄膜脫落, zui終引致組件失效或可靠性不佳的問題。 薄膜應力激光測量儀利用激光測量樣本的形貌,透過比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計算出應力, 是品檢及改進工藝的有效手段。

1)   快速、非接觸式測量

2)   128型號適用于3至8寸晶圓

128L型號適用于12寸晶圓

128G 型號適用于470 X 370mm樣品，

另可按要求訂做不同尺寸的樣品臺 

3)   ZG雙激光自動轉換技術

如某一波長激光在樣本反射度不足，系統會自動使用

另一波長激光進行掃瞄，滿足不同材料的應用

4)   全自動平臺，可以進行2D及3D掃瞄（可選)

5)   可加入更多功能滿足研發的需求

電介質厚度測量

光致發光激振光譜分析

（III-V族的缺陷研究）

6)   500 及 900°C高溫型號可選

7)   樣品上有圖案亦適用

1.   規格:

1)   測量方式: 非接觸式(激光掃瞄)

2)   樣本尺寸: 

FSM 128NT: 75 mm to 200 mm

FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

FSM 128G: zui大550×650 mm

3)   掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)

4)   激光強度: 根據樣本反射度自動調節

5)   激光波長:  650nm及780nm自動切換(其它波長可選)

6)   薄膜應力范圍: 1 MPa — 4 GPa

(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

7)   重復性: 1% (1 sigma)*

8)   準確度: ≤ 2.5%

使用20米半徑球面鏡

9)   設備尺寸及重量:

FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs

FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs

FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs

電源 : 110V/220V, 20A

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FSM413 紅外干涉測量設備

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產品名稱：FSM 413 紅外干涉測量設備

產品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C

1.   簡單介紹

FSM 128 薄膜應力及基底翹曲測試設備:美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導體行業等高新行業提供各式精密的測量設備，客戶遍布全世界, 主要產品包括:光學測量設備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應力測量設備、 紅外干涉厚度測量設備、電學測量設備:高溫四探針測量設備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

1.   產品簡介：

FSM 413 紅外干涉測量設備

1)   ZG紅外干涉測量技術, 非接觸式測量

2)   適用于所有可讓紅外線通過的材料：

硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…

2.   應用:

    襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

    平整度

    厚度變化 (TTV)

    溝槽深度

    過孔尺寸、深度、側壁角度

    粗糙度

    薄膜厚度

    環氧樹脂厚度

    襯底翹曲度

    晶圓凸點高度(bump height)

    MEMS 薄膜測量

    TSV 深度、側壁角度…

TSV應用

Total Thickness Variation (TTV) 應用

1.   規格:

1)   測量方式: 紅外干涉(非接觸式)

2)   樣本尺寸:  50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產品尺寸

3)   測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭)

          3 mm (雙探頭總厚度測量)

4)   掃瞄方式: 半自動及全自動型號,

         另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

5)   襯底厚度測量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。

6)   粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

7)   重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

       0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

8)   分辨率: 10 nm

9)   設備尺寸:

            413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

            413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

10) 重量: 500 lbs

11) 電源 : 110V/220VAC     

12) 真空: 100 mm Hg

13) 樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)

             150μm厚硅片（沒圖案、雙面拋光并沒有摻雜）