硅光電探測器（Si）
室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm

型號列表及主要技術指標：
技術指標＼型號名稱 DSi200 紫敏硅探測器 DSi300 硅探測器
進口紫外增強型 國產低暗電流型
有效接收面積(mm2) 100(Φ11.28) 100(10×10)
波長范圍(nm) 200-1100 300-1100
峰值波長(nm) ------- 800±20
峰值波長響應度(A/W) 0.52 >0.4
254nm的響應度(A/W)0.14(>0.09) -------
響應時間(μs) 5.9 -------
工作溫度范圍(℃) -10～+60 -------
儲存溫度范圍(℃) -20～+70 -------
分流電阻RSH(MΩ) 10(>5) -------
等效噪聲功率NEP (W/√Hz) 4.5×10-13 -------
暗電流(25℃；-1V) ------- 1X10-85×10-11 A
結電容(pf) 4500 <3000(-10V)
信號輸出模式 電流 電流
輸出信號極性 正（P） 正（P）

■ DSi200/DSi300硅光電探測器

硅光電探測器（Si）
室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
◆ DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器
◆ DSi300型內裝國產低暗電流硅光電探測器
◆ 推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用
硅光電探測器使用建議：
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZAMP（Page85做為前級放大并轉換為電壓信號，標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。