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日本科佩爾 替代 易恩IPM測試儀
- 品牌:易恩電氣
- 型號: ENI1220
- 產地:陜西 西安
- 供應商報價:¥188
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西安易恩電氣科技有限公司
更新時間:2023-03-20 10:07:56
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銷售范圍售全國
入駐年限第8年
營業執照已審核
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產品特點
- IPM模塊需要測試的特性參數很多,其中zui關鍵的測試參數為開關特性(時間特性)的測量。該系統在解決IPM的控制信號以及高速數據采集處理兩個關鍵技術的條件下,是一套基于DSP及FPGA的高速實時測試系統。
詳細介紹
ENI1220 IPM 測試系統
日本科佩爾 替代 易恩IPM測試儀
系統概述
基礎配置
IPM,即智能功率模塊,是先進的混合集成功率器件。一般使用IGBT作為功率開關元件,內部集成電流傳感器及驅動電路的集成結構。
IPM模塊需要測試的特性參數很多,其中最關鍵的測試參數為開關特性(時間特性)的測量。該系統在解決IPM的控制信號以及高速數據采集處理兩個關鍵技術的條件下,是一套基于DSP及FPGA的高速實時測試系統。
電壓
電流
標配
選配
標配
選配
1200V
1000V
200A
200A
2200V
400A
3300V
600A
4500V
1000A
6000V
2000A
配置/短路測試
電壓
電流
短路測試
標配
選配
標配
選配
項目
范圍
誤差
分辨率
1200V
2200V
200A
400A
VPN
100V~1200V
±3%
10V
3300V
600A
測試電流
10A~75A
±3%
1A
4500V
1000A
短路電流
100A~500A
±3%
1A
6000V
2000A
短路時間
1 uS~10uS
可調
可調
測試功能
測試范圍
測試參數
IPM
BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS
IGBT
ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)
DIODE
VF-Temp, Temp, VF revision
參數 / 精度
靜態參數
動態參數
上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)
上
橋
開
關
參
數
集電極電壓Vce:
100~1200V,
誤差±3%,分辨率10V
上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)
上橋驅動IC低端靜態電流測試(IDH)
集電極電流Ice:
10~75A,
誤差±3%,分辨率1A
上橋驅動IC高端靜態工作電流測試
(Iqbs-U,V,W)
VD=VBS=15V,
誤差±3%,分辨率0.1V
上橋欠壓保護監測電平 (UVbsd-U V W)
VIN=0~5V
誤差±3%,分辨率0.1V
上橋欠壓保護復位電平(UVbsr-U V W)
ton-L : 10~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
上橋驅動IC導通閾值電壓測試
(Vth(on)-UH VH WH)
tc(on)-L :5~200nS,
誤差±3%,分辨率1nS
toff-L: 50~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
上橋驅動IC關斷閾值電壓測試
(Vth(off)-UH VH WH)
tc(off)-L: 5~200nS,
誤差±3%,分辨率1nS
Trr-L :10~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
上橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UH VH WH)
Eon-L :0.1~10mJ,
誤差±3%,分辨率0.1mJ
上橋FRD正向壓降測試(VF-(UH VH WH)
Eoff-L: 0.1~10mJ
誤差±3%,分辨率0.1mJ
下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)
下
橋
開
關
參
數
集電極電壓Vce:
100~1200V,
誤差±3%,分辨率10V
下橋驅動IC靜態工作電流測試(IDL)
故障輸出電壓測試(Vfoh Vfol)
集電極電流Ice:
10~75A,
誤差±3%,分辨率1A
過流保護閾值電壓測試(Vcin(ref))
下橋欠壓保護監測電平(UVdd)
VD=VBS=15V,
誤差±3%,分辨率0.1V
下橋欠壓保護復位電平(UVdr)
VIN=0~5V
誤差±3%,分辨率0.1V
下橋驅動IC導通閾值電壓
(Vth(on)-UL VL WL)
ton-L : 10~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
tc(on)-L :5~200nS,
誤差±3%,分辨率1nS
下橋驅動IC關斷閾值電壓
(Vth(off)-UL VL WL)
toff-L: 50~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
tc(off)-L: 5~200nS,
誤差±3%,分辨率1nS
下橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UL VL WL)
Trr-L :10~500nS,
誤差±3%,分辨率1nS
下橋FRD正向壓降測試(VF-(UL VL WL)
Eon-L :0.1~10mJ,
誤差±3%,分辨率0.1mJ
Eoff-L: 0.1~10mJ
誤差±3%,分辨率0.1mJ