普賽斯led反向漏電流測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以晶準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測試系統圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統優勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

    高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯led反向漏電流測試設備特點和優勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

可定制夾具；

nA級電流和uΩ級電阻測量；