德國 Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)

詳細(xì)介紹

Raith 150 Two作為高分辨電子束曝光系統(tǒng)，自推出以來全 球銷量不容忽視。該系統(tǒng)被廣泛地用于研發(fā)和納米技術(shù)中心，已證明了系統(tǒng)的24/7使用的穩(wěn)定性。

Raith 150 Two 可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。

環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。

超高分辨曝光及成像

小于8nm曝光
低電壓曝光及成像
系統(tǒng)自動化程度高
最 大可處理8"樣片
隔墻安裝 / 熱穩(wěn)定性

研發(fā)及小批量生產(chǎn)

軟硬件的高自動化程度保障了小批量生產(chǎn)中進(jìn)行簡單且可重復(fù)性的曝光工作。

Raith 150 Two 高分辨的電子光學(xué)柱結(jié)合多種探測器可實現(xiàn)對準(zhǔn)標(biāo)記識別和過程控制中前所未有的靈活性。

Raith 150 Two 應(yīng)用

·  75nmT型柵高電子遷移率晶體管器件

·  HSQ膠上制作亞4.5nm線條

·  采用traxx長線條無寫場拼接曝光模式制作延遲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

·  5um厚膠上制作三維菲涅爾透鏡陣列結(jié)構(gòu)

·  PMMA膠上制作精細(xì)的11nm線條

·  PMMA膠上制作60nm周期光柵結(jié)構(gòu)

RAITH150 Two 產(chǎn)品詳情

主要應(yīng)用:

。納米級光刻
。高分辨成像
。低電壓電子束光刻

樣品臺:

。完整的6“ 移動范圍
。Z軸移動范圍大

電子槍技術(shù):

。Gemini
。電子
。30 kV
。Inlense二次電子探測器
。能量選擇背散射二次電子探測器（選配）

獨(dú)特直寫模式:

。traxx長線條無寫場拼接曝光模式
。periodixx周期結(jié)構(gòu)無寫場拼接曝光模式