閃爍體的光譜、壽命、成像、光產額測量

產品概述

近年來，鈣鈦礦型閃爍體及鈣鈦礦型X射線直接探測器被廣泛研究及報道。在發光閃爍體層面，鈣鈦礦納米晶閃爍體通過溶液即可制得，成本極低，且具備全色彩可調諧輻射發光的特點。在直接探測層面，鉛鹵鈣鈦礦材料因其具備較大的原子序數、高吸收系數等優點，在X射線直接探測領域同樣表現出非常優異的性能。

卓立漢光能夠提供基于X射線的穩態發光光譜，熒光壽命，瞬態光譜以及X射線探測成像的相關測量方案。能夠提供全套涵蓋X射線激發源、光譜儀、穩態及瞬態數據處理、成像測量（CMOS成像，單像素成像，TFT面陣成像）、輻射劑量表、輻射安全防護等，輻射防護防護滿足國標《低能射線裝置放射防護標準》（GBZ115-2023）。

如下陳述我們幾種測量方案及相關配置明細

(一) 穩態光譜及熒光壽命采集

? 基于皮秒X射線和TCSPC測量原理的方法

? 納秒脈沖X射線

? 穩態和壽命測量數據

(二)X射線探測成像

? X射線探測成像光路圖

? X射線探測成像及脈沖X射線實現光電流衰減測量

? TFT集成的面陣X射線成像

? 成像測量結果

(三)技術參數

穩態光譜及熒光壽命采集

基于皮秒X射線和TCSPC測量原理的方法

包含：皮秒脈沖激光器、光激發X射線管、TCSPC或條紋相機。

由皮秒脈沖激光器激發“光激發X射線管”發射出X-ray作用于樣品上，樣品發射熒光，經光譜儀分光之后，由探測器探測光信號，數據采集器讀取數據。

皮秒X射線測量熒光壽命原理圖

納秒脈沖X射線

150KV納秒脈沖X射線

*安全距離要求：a：3米，b：6米，c：30米

穩態和壽命測量數據

NaI 樣品在管電壓50KeV，不同管電流激發下的輻射發光光譜

納秒X 射線激發的熒光衰減曲線

X射線探測成像

X射線探測成像光路圖

X射線探測成像及脈沖X射線實現光電流衰減測量

TFT集成的面陣X射線成像

TFT傳感芯片規格

TFT讀取系統規格

成像測量結果

CMOS 成像實物圖

分辨率指標：TYP39分辨率卡的X射線圖像。測試1mm厚的YAG(Ce)時，分辨率可以優于20lp/mm

手機充電頭成像測試

密碼狗成像測試

技術參數

光產額測量方案

閃爍晶體的光產額（也稱為光輸出或光子產額）是指晶體在受到電離輻射（如γ射線、X射線或粒子）激發后，發射光子（通常是可見光）的數量。光產額通常以每單位能量沉積產生的光子數來表示，單位可以是光子/MeV。

光產額是衡量閃爍晶體性能的重要參數之一，它是衡量閃爍體材料性能的重要指標之一，也直接關系到該材料在實際應用中的靈敏度和效率。常見的閃爍晶體包括碘化鈉（NaI），碘化銫（CsI），和氧化鑭摻鈰（LaBr3）等。不同的晶體材料會有不同的光產額，這取決于其發光機制、能帶結構、以及材料的純度和缺陷等因素。研究閃爍體材料的光產額對于提高其性能、拓展其應用具有重要的意義。

一些常見閃爍晶體的光產額值如下：

碘化鈉（NaI(Tl)）：約38,000 photons/MeV

氯化銫（CsI(Tl)）：約54,000 photons/MeV

氧化鈰摻雜的氧化鑭（LaBr3）：約63,000 photons/MeV

釔鋁石榴石摻雜鈰離子（YAG:Ce）：約14,000 photons/MeV

光產額越高，意味著該晶體能夠在相同的能量沉積條件下產生更多的光子，從而在探測器中生成更強的信號，通常也會導致更好的能量分辨率。

卓立漢光提供一整套包含同位素源、屏蔽鉛箱（被測器件及光路）、光電倍增管、高壓電源、閃爍體前置放大器、譜放大器、多道分析儀及測試軟件，實現閃爍體的光產額測量。