受中東地區人工智能領域投資熱潮與全球關稅擔憂情緒的雙重推動，動態隨機存取存儲器（DRAM）價格大幅上揚，高帶寬內存（HBM）需求持續旺盛，這一趨勢預計將顯著提振三星電子和 SK 海力士的盈利表現。一方面，主要客戶為規避美國可能加征的關稅，正積極開展 DRAM 囤貨；另一方面，美國芯片制造商英偉達與沙特阿拉伯達成的大規模人工智能芯片交易，也為韓國這兩家領先的內存芯片制造商注入了新的發展動能。

據業內人士 5 月 19 日消息，三星電子本月初將傳統 DDR4 和新型 DDR5 DRAM 的價格均上調了兩位數百分比。SK 海力士則將消費級 DRAM 價格上調約 12%。自美國芯片制造商美光公司上月通知客戶計劃漲價后，整體價格漲勢進一步加速。

經歷五個月的低迷后，DRAM 平均銷售價格（ASP）于 4 月開始攀升。市場研究公司 DRAMeXchange 數據顯示，標準 PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）固定合同價格環比上漲 22.2%，達 1.65 美元。

分析師指出，近期價格飆升主要歸因于主要客戶在美國關稅政策生效前的集中囤貨行為。美國企業為避免關稅影響謹慎采購，而中國 “以舊換新” 補貼計劃則提振了國內 PC 和智能手機制造商的需求。值得注意的是，長期供過于求的舊款 DRAM 芯片，當前價格漲幅超過了新款 DDR5 產品。

三星電子內存部門執行副總裁金在俊在 4 月 30 日的公司第一季度財報電話會議上表示：“全球關稅擔憂加劇，客戶加快成品預產，導致零部件庫存消耗速度快于預期?！?這一趨勢為業績與 DRAM 定價高度相關的三星提供了第二季度業績反彈的潛在動力。

盡管半導體市場仍存不確定性，但高價值內存產品價格預計將持續上行。隨著 DRAM 價格普遍上漲，HBM 價格也一路飆升。英偉達近期與沙特阿拉伯達成的合作協議，進一步引發市場對第二波 AI 內存熱潮的預期。

5 月 13 日，英偉達宣布與沙特阿拉伯公共投資基金（PIF）支持的人工智能初創公司 Humain 簽署協議，將建設一個 500 兆瓦的人工智能數據中心。未來五年，英偉達將提供約 1.8 萬個配備其最新 Blackwell Ultra 芯片的 GB300 GPU。

業內消息人士透露，英偉達采購 SK 海力士 12 層 HBM3E 芯片的價格比 8 層芯片高出 60% 以上，這表明該公司迫切希望在今年上半年 Blackwell Ultra 加速上市前確保供應鏈穩定。

SK 海力士作為英偉達 8 層和 12 層 HBM3E 芯片的供應商，預計其第二季度盈利將創歷史紀錄。韓華投資證券分析師金光鎮表示：“SK 海力士今年 HBM 總出貨量預計達 137 億千兆位，其中英偉達占比超 70%。該公司在 HBM 市場的主導地位很可能延續至明年。”

5 大原廠同步減產，NAND 市場迎來反彈

全球五大 NAND Flash 原廠同步實施減產計劃，疊加美中之間新關稅政策的影響，促使買賣雙方在 90 天寬限期內加速交易與出貨，推動 2025 年第二季度存儲器價格出現優于預期的反彈走勢。

全球市占前五大 NAND Flash 制造商（三星、SK 海力士、美光、鎧俠與西部數據）均于 2025 年上半年啟動減產計劃，減產幅度在 10% 至 15%，旨在調節市場供過于求的格局。原廠同步減產從供給端為存儲器價格止跌回升提供支撐，同時中美貿易政策變數升溫，促使行業加速在政策寬限期內完成交易，激發出短期備貨潮。

在備貨潮推動下，第二季度 DRAM 與 NAND Flash 合約價格漲幅顯著超出此前預期。TrendForce 最新報告顯示，存儲器價格一季度呈下跌趨勢，二季度已出現回升，2025 年上半年價格走勢呈現 “先跌后漲” 特征。

具體來看，DRAM 合約價方面，一季度傳統 DRAM 價格下跌 8%-13%，高頻寬內存（HBM）僅小幅回落 0%-5%；二季度傳統 DRAM 預估反彈 3%-8%，HBM 受 AI 與高性能計算（HPC）應用需求拉動，同步上漲 3%-8%。NAND Flash 合約價一季度跌幅達 15%-20%，為主要產品中最大跌幅；二季度預估回升 3%-8%，顯示市場正逐步恢復供需平衡。

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