磁控濺射儀應用
磁控濺射儀為一種用于物理學領域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。
磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現。由于高速濺射是在低氣壓下進行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。
磁控濺射儀應用
濺射鍍膜即為在真空中通過荷能粒子對靶表面進行轟擊，使得被轟擊出的粒子在基片上的技術沉積。一般通過低壓惰性氣體輝光放電來使得入射離子產生。通過鍍膜材料制成陰極靶，陽極為基片，將0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體往真空室中通入，輝光放電在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生。電離出的氬離子對靶表面進行轟擊，濺出靶原子并且在基片上沉積，使薄膜形成，主要包括反應濺射、離子束濺射、非對稱交流射頻濺射、偏壓濺射、射頻濺射、對靶濺射、磁控濺射、三級或四級濺射以及二級濺射等多種濺射方法。
因為被濺射原子是和具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后以后被飛濺出來的，所以濺射出來的原子有著非常高的能量，對于積時原子的擴散能力以及沉積組織的致密程度的提高相當有幫助，使得制出的薄膜與基片的附著力相當的強。
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