原子層沉積系統

• 產品介紹：

  Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經有15年以上的ALD研發生產經驗。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學，05年搬到Boston并生產出Thermal ALD - Savannah, 之后生產出Plasam ALD - Fuji、批量生產ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設備已有15年多的經驗，全 球已安裝五百多臺ALD設備。

  
  

  方式: Plasma & Thermal ALD

  優勢: 標準自動加載鎖定集成、加熱、薄箔ALD trap

  薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金屬Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等

  
  

  反應腔體大小: 可達200 mm

  設備尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm

  操作模式: 連續模式(傳統Thermal ALD) 曝光模式(超高深寬比) 等離子體模式(等離子體加強ALD)

  功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)

  zui高溫度: 標準200mm襯底加熱至500°C / 可選100mm襯底加熱至800°C

  沉積均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循環時間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

  兼容: 標準四端口，可增加至六端口。每一個源瓶均可放固態/液態/氣態前驅體，可獨立加熱至200°C

  閥門: 工業標準ALD閥門(zui小響應10ms)

  前驅體源瓶: 50cc(zui多填充25ml)不銹鋼氣瓶

  載氣/排氣: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC  / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC

  原位分析選項: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位橢便儀, RGA端口, 光發射光譜儀, 樣品高度高達57mm的晶圓

  臭氧發生器, LVPD, 集成手套箱, 襯底偏壓