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igbt全動態參數測試設備
- 品牌:普賽斯儀表
- 型號: PMDT2010
- 產地:湖北 武漢
- 供應商報價:¥1000
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武漢普賽斯儀表有限公司
更新時間:2025-05-26 08:53:38
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銷售范圍售全國
入駐年限第6年
營業執照已審核
- 同類產品功率器件測試系統(71件)
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- igbt全動態參數測試設備 核心參數
產品特點
- 主要由雙脈沖信號發生器,高分辨率示波器,高壓電流探頭,高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統配備多種測試驅動板,可覆蓋開關參數測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等,單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試
詳細介紹
PMDT系列IGBT全動態參數測試設備,2000V/2000A雙脈沖測試范圍,蕞大12kA短路電流,<20nH超低主回路雜感,<2us過流保護時間
系統概述
PMDT功率器件動態參數測試系統是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態參數測試,能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗,評估器件的安全工作區,對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證,測量功率組件的雜散電感。設備既可以用于功率器件選型評估,又可以用于驅動電路和功率母排的優化設計,能夠幫助用戶開發性能更優化、工作更可靠的電力電子功率平臺。系統組成PMDT功率器件動態參數測試系統主要由雙脈沖信號發生器,高分辨率示波器,高壓電流探頭,高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統配備多種測試驅動板,可覆蓋開關參數測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等,單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試;具備數據管理功能,可實時保存測試結果及波形曲線,自動生成測試報告系統特點
高電壓達2000V(蕞大擴展至8kV)大電流達2000A(可擴展至6000A)低寄生電感設計:<20nH寄生電感安全防護機制:集成防爆、過流/過壓保護全功能測試覆蓋:支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數自動化與智能化,負載電感自動切換溫度范圍廣:可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)兼容多種封裝,可根據測試需求定制夾具測試參數開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、 關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、蕞大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t反偏安全工作區:關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t
測試夾具針對市面上不同封裝類型的功率半導體,如IGBT、SiC、MOS等產品,普賽斯提供整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產品的測試相關產品
柵極正向電壓 | 0~30V | 柵極負向電壓 | -20~0V(正負壓差不超過30V) |
空心電感感值 | 20uH、50uH、100uH、200uH、500uH,5檔可調 | 雜散電感 | <20nH |